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Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

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Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia
Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Ampliación de imagen :  Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Sintec Optronics
Número de modelo: Serie STCX
Pago y Envío Términos:
Tiempo de entrega: 5-7days
Condiciones de pago: T/T vía banco

Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

descripción
Alta luz:

Diodo láser de un solo emisor de alta potencia

,

Diodo láser de un solo emisor

,

Diodo láser

Chips/barras/matrices/pilas láser de emisor único de diodo de alta potencia

 

(1) Chips láser de emisor único de alta potencia: serie BC

Óptico          
Longitud de onda central Nuevo Méjico 915 915 976 976
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico ±10 ±10 ±3 ±3
Potencia de salida W 25 30 25 30
Modo operativo # CW CW CW CW
Divergencia de eje rápido Grado 55 55 55 55
Divergencia del eje lento Grado 9.5 9.5 9.5 9.5
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico 4 4 4 4
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
Polarización TE % 97 97 97 97
Eléctrico          
Ancho del emisor micras 195 230 195 230
Longitud de la cavidad milímetro 4.5 4.5 4.5 4.5
Ancho micras 400 400 400 400
Espesor micras 145 145 145 145
Geométrico          
Ef. de conversión electro-óptica. % 62 62 63 63
Eficiencia de pendiente WASHINGTON 1.15 1.15 1.1 1.1
Corriente de umbral A 1.5 1.8 1.1 1.5
Corriente de funcionamiento A 25 30 25 30
Tensión de funcionamiento V 1,65 1,65 1.55 1.55

(2) Barra de diodo de alta potencia - Serie BB

Óptico              
Longitud de onda central Nuevo Méjico 808 808 808 808 940 940
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico ±10 ±10 ±10 ±3 ±3 ±3
Potencia de salida W 50 60 100 ≥500 200 ≥700
Divergencia de eje rápido Grado ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
Divergencia del eje lento Grado ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 5
Polarización TE TM/TE TE TE TE TE TE TE
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
Eléctrico              
Ef de conversión electroóptica % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
Eficiencia de pendiente WASHINGTON 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
Umbral de corriente A 8 12 15 25 25 25
Corriente de funcionamiento A 50 60 105 ≤430 220 650
Tensión de funcionamiento V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
Ancho de pulso a nosotros - - - 200 - 500
Frecuencia de pulso Hz - - - 400 - 160
Ciclo de trabajo de pulso % - - - 8 - 8
Geométrico              
Número de emisores # 19 49 49 34 24 34
Ancho del emisor micras 150 100 100 232 200 232
Paso del emisor micras 500 200 200 290 400 290
Factor de llenado % 30 50 50 80 50 80
Longitud de la cavidad milímetro 1.0 1.0 1.5 1.5 3 2
Espesor de la barra micras 145 145 145 115 115 115
Longitud de la barra milímetro 10 10 10 10.25 10.25 10.25
Térmico              
Temperatura de funcionamiento 25 25 25 25 20 25
Temperatura de almacenamiento 40~80 -40~80 40~80 40~80 -40~80 40~80
Velocidad de flujo l/min / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(3) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie TOF

Óptico          
Longitud de onda central @ Iop Nuevo Méjico 808 850 940 940
Ancho espectral (medio ancho) Nuevo Méjico 2 2 2 2
Cambio de longitud de onda / temperatura nanómetro/℃ 0.07 0.07 0.07 0.07
Apertura del emisor micras 10 10 10 10
Paso mínimo del emisor micras 44 47 33 40
Número de emisor / 621 1216 305 364
Potencia de salida W 3.1 4 2.1 3.1
Corriente de funcionamiento A 3.5 5 2.8 3.5
El consumo de energía W 7 10 5.6 7
Tensión de funcionamiento V 2 2 2 2
Eficiencia operativa % 35 40 40 40
Umbral de corriente A 0.7 1.2 0.38 0.47
Ángulo de divergencia ° 22 22 20 20
Geométrico          
Longitud del emisor micras 916 1535 525 916
Ancho del emisor micras 901 1560 615 610
Longitud de la viruta micras 1206 1845 695 996
Ancho de viruta micras 1006 1670 795 890
Grosor de la viruta micras 100 100 100 100

(4) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie SL

Óptico        
Longitud de onda central @ Iop Nuevo Méjico 934 940 946
Ancho espectral (medio ancho) Nuevo Méjico   2  
Cambio de longitud de onda / temperatura nanómetro/℃   0.07  
Apertura del emisor micras   8  
Paso mínimo del emisor micras   21  
Número de emisor (Área A) -   377  
Número de emisor (Área B) -   6  
Potencia de salida (Área A) W 1.3 1.5 1.7
Potencia de salida (Área B) W   0.024  
Poder de un solo punto W   0.004  
Corriente de funcionamiento (Área A) A   3.6  
Corriente de funcionamiento (Área B) A   0.06  
Consumo de energía (Área A) W   3.6  
Consumo de energía (área B) W   0.06  
Tensión de funcionamiento V   2  
Eficiencia operativa %   40 45
Umbral de corriente (Área A) A   0.38  
Umbral de corriente (Área B) A   0.006  
Ángulo de divergencia °   20  
Geométrico        
Longitud de la zona luminosa micras   523  
Ancho del área de emisión de luz micras   548  
Longitud de la viruta micras 758 778 798
Ancho de viruta micras 701 721 741
Grosor de la viruta micras 90 100 110

(5) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie LI

Óptico      
Longitud de onda central Nuevo Méjico 905 940
Ancho espectral (medio ancho) Nuevo Méjico 2 2
Cambio de longitud de onda / temperatura nanómetro/℃ 0.07 0.07
Apertura del emisor micras 12 12
Paso mínimo del emisor micras 22 22
Número de emisor / 136 136
Potencia de salida W 60 60
Corriente de funcionamiento A 15 15
El consumo de energía W 300 300
Tensión de funcionamiento V 25 25
Eficiencia operativa % 20 20
Umbral de corriente A 0.2 0.2
Ángulo de divergencia ° 20 20
Geométrico      
Longitud del emisor micras 273 273
Ancho del emisor micras 288 288
Longitud de la viruta micras 520 520
Ancho de viruta micras 401 401
Grosor de la viruta micras 100 100

(6) Dispositivo láser de diodo de alta potencia - Serie COS

Óptico          
Longitud de onda central Nuevo Méjico 915 915 976 976
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico ±10 ±10 ±3 ±3
Potencia de salida W 25 30 25 30
Modo operativo # CW CW CW CW
Divergencia de eje rápido Grado 55 55 55 55
Divergencia del eje lento Grado 9.5 9.5 9.5 9.5
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico 4 4 4 4
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃ 0.3 0.3 0.33 0.33
Polarización TE % 97 97 97 97
Eléctrico          
Ef de conversión electroóptica % 62 62 63 63
Eficiencia de pendiente WASHINGTON 1.15 1.15 1.1 1.1
Corriente de umbral A 1.5 1.8 1.1 1.5
Corriente de funcionamiento A 25 30 25 30
Tensión de funcionamiento V 1,65 1,65 1.55 1.55
Geométrico          
Ancho del emisor micras 195 230 195 230
Longitud de la cavidad milímetro 4.5 4.5 4.5 4.5
Ancho micras 400 400 400 400
Espesor micras 145 145 145 145

(7) Dispositivos láser de diodo de alta potencia - Serie MCC

Óptico              
Longitud de onda central Nuevo Méjico 808 808 808 808 940 940
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico ±10 ±10 ±10 ±10 ±3 ±3
Potencia de salida W 50 60 100 ≥500 200 200
Divergencia de eje rápido Grado ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
Divergencia del eje lento Grado ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5 ≤8.5
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico ≤2.5 ≤2.5 ≤3 ≤3.5 ≤3 ≤3
Modo de polarización TM/TE         TE TE
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃ 0.28 0.28 0.28 0.28 0.3 0.3
Eléctrico              
Ef de conversión electroóptica % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
Eficiencia de pendiente WASHINGTON 1.25 1.25 1.25 1.25 1 1.15
Corriente de umbral A 8 12 15 25 25 25
Corriente de funcionamiento A 50 60 105 ≤430 220 650
Tensión de funcionamiento V 1.8 1.8 1.8 2.0 1.55 1.7
Ancho de pulso a nosotros - - - 200 - 500
Frecuencia de pulso Hz - - - 400 - 160
Ciclo de trabajo de pulso % - - - 8 - 8
Geométrico              
Número de emisores # 19 49 49 34 24 34
Ancho del emisor micras 150 100 100 232 200 232
Paso del emisor micras 500 200 200 290 400 290
Factor de llenado % 30 50 50 80 50 80
Longitud de la cavidad milímetro 1.0 1.0 1.5 1.5 3 2
Espesor de la barra micras 145 145 145 115 115 115
Longitud de la barra milímetro 10 10 10 10.25 10.25 10.25
Térmico              
Temperatura de funcionamiento. 25 25 25 25 20 25
Temperatura de almacenamiento. -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80
Tasa de flujo del agua l/min / 0.25 0.25 0.20 0.25 0.25

(8) Pilas de láser de diodo de alta potencia - Serie MCP

Óptico        
Longitud de onda central Nuevo Méjico 808 808 808
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico ±10 ±10 ±3
Potencia de salida W 60 100 300
Número de barras # 2 ~ 60 2 ~ 60 2 ~ 60
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico ≤8 ≤8 4
Modo operativo # CW CW QCW
Divergencia de eje rápido Grado ≤42 ≤42 40
Divergencia del eje lento Grado ≤10 ≤10 10
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃ 0.28 0.28 0.28
Eléctrico        
Eficiencia de conversión de energía % 50 50 50
Eficiencia de pendiente/barra WASHINGTON ≥1.1 ≥1.1 1.1
Umbral de corriente A 4.5 4.5 4.5
Corriente de funcionamiento A 0.16 0.16 290
Tensión/barra de funcionamiento V ≤2 ≤2 1.8
Térmico        
Temperatura de funcionamiento 15 ~ 35 15 ~ 35 25
Temperatura de almacenamiento 0~55 0~55 0~55
Bar/Velocidad del agua/Bar l/m 0,3~0,5 0,3~0,5 0.3
Presión máxima de entrada psi 55 55 55
Tipo de agua - Agua DI Agua DI Agua DI
Resistividad del agua desionizada (DI) kΩ·cm 200~500 200~500 200~500
Partículas de filtro de agua pura micras <20 <20 <20

(9) Pilas de láser de diodo de alta potencia - Serie QCP

Óptico      
Longitud de onda central Nuevo Méjico 808 808
Tolerancia de longitud de onda W ±3 ±10
Potencia de salida de barra/barra % 300 40
Número de barras % 2 ~ 24 60
Potencia de salida total micras - 2400
Espaciado de barra a barra - 0,4 ~ 1,8 0.9
Ancho espectral (FWHM) - 4 8
Ancho de pulso metro 50-500 10-100
Tasa de repetición   1-200 1-10
Divergencia del eje rápido (FWHM) Nuevo Méjico 40 40
Divergencia del eje lento (FWHM) mW 10 10
Coeficiente de temperatura de longitud de onda   0.28 0.28
Eléctrico      
Ef de conversión electroóptica % 50 50
Eficiencia de pendiente/barra WASHINGTON 1.1 1.1
Umbral de corriente A 20 10
Corriente de funcionamiento A 300 50
Tensión/barra de funcionamiento V 2 1.8
Térmico      
Tipo de agua - Agua pura Agua pura
Temperatura de funcionamiento 25 25
Temperatura de almacenamiento -40-85 -40-85

(10) Dispositivos láser de diodo de alta potencia - Serie TO

Óptico        
    mínimo Típico máx.
Longitud de onda central Nuevo Méjico 820 830 840
Tolerancia de longitud de onda Nuevo Méjico   ±10  
Potencia de salida W   1.0  
Ancho espectral (FWHM) Nuevo Méjico   3.0 4.0
Coeficiente de temperatura de longitud de onda nanómetro/℃   0.3  
Eléctrico        
Ef de conversión electroóptica % 36 42  
Eficiencia de pendiente WASHINGTON 1.05 1.1  
Umbral de corriente A   0.38 0,45
Corriente de funcionamiento A   1.28 1.40
Tensión de funcionamiento V   1.8 2.2
Térmico        
Temperatura de funcionamiento 0 25 40
Temperatura de almacenamiento   -20~70  

Chips/barras/pilas de aser de diodo serie SBN

Contacto
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

Persona de Contacto: Steven

Teléfono: +86 15671598018

Fax: 86-027-51858989

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