Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Name: Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia
Brand: Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,
SKU: Serie STCX
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

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Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Ampliación de imagen : Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Sintec Optronics
Número de modelo:	Serie STCX

Pago y Envío Términos:

Tiempo de entrega:	5-7days
Condiciones de pago:	T/T vía banco

Contacto

Chips/barras/matrices/pilas de diodo láser de emisor único de alta potencia

descripción

Resaltar:

Diodo láser de un solo emisor de alta potencia

Diodo láser de un solo emisor

Diodo láser

Chips/barras/matrices/pilas láser de emisor único de diodo de alta potencia

(1) Chips láser de emisor único de alta potencia: serie BC

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	915	915	976	976
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico	±10	±10	±3	±3
Potencia de salida	W	25	30	25	30
Modo operativo	#	CW	CW	CW	CW
Divergencia de eje rápido	Grado	55	55	55	55
Divergencia del eje lento	Grado	9.5	9.5	9.5	9.5
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico	4	4	4	4
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃	0.3	0.3	0.33	0.33
Polarización TE	%	97	97	97	97
Eléctrico
Ancho del emisor	micras	195	230	195	230
Longitud de la cavidad	milímetro	4.5	4.5	4.5	4.5
Ancho	micras	400	400	400	400
Espesor	micras	145	145	145	145
Geométrico
Ef. de conversión electro-óptica.	%	62	62	63	63
Eficiencia de pendiente	WASHINGTON	1.15	1.15	1.1	1.1
Corriente de umbral	A	1.5	1.8	1.1	1.5
Corriente de funcionamiento	A	25	30	25	30
Tensión de funcionamiento	V	1,65	1,65	1.55	1.55

(2) Barra de diodo de alta potencia - Serie BB

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	808	808	808	808	940	940
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico	±10	±10	±10	±3	±3	±3
Potencia de salida	W	50	60	100	≥500	200	≥700
Divergencia de eje rápido	Grado	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergencia del eje lento	Grado	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico	≤2.5	≤2.5	≤3	≤3.5	≤3	5
Polarización TE	TM/TE	TE	TE	TE	TE	TE	TE
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃	0.28	0.28	0.28	0.28	0.3	0.3
Eléctrico
Ef de conversión electroóptica	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Eficiencia de pendiente	WASHINGTON	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Umbral de corriente	A	8	12	15	25	25	25
Corriente de funcionamiento	A	50	60	105	≤430	220	650
Tensión de funcionamiento	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
Ancho de pulso	a nosotros	-	-	-	200	-	500
Frecuencia de pulso	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo de trabajo de pulso	%	-	-	-	8	-	8
Geométrico
Número de emisores	#	19	49	49	34	24	34
Ancho del emisor	micras	150	100	100	232	200	232
Paso del emisor	micras	500	200	200	290	400	290
Factor de llenado	%	30	50	50	80	50	80
Longitud de la cavidad	milímetro	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
Espesor de la barra	micras	145	145	145	115	115	115
Longitud de la barra	milímetro	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Térmico
Temperatura de funcionamiento	℃	25	25	25	25	20	25
Temperatura de almacenamiento	℃	40~80	-40~80	40~80	40~80	-40~80	40~80
Velocidad de flujo	l/min	/	0.25	0.25	0.20	0.25	0.25

(3) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie TOF

Óptico
Longitud de onda central @ Iop	Nuevo Méjico	808	850	940	940
Ancho espectral (medio ancho)	Nuevo Méjico	2	2	2	2
Cambio de longitud de onda / temperatura	nanómetro/℃	0.07	0.07	0.07	0.07
Apertura del emisor	micras	10	10	10	10
Paso mínimo del emisor	micras	44	47	33	40
Número de emisor	/	621	1216	305	364
Potencia de salida	W	3.1	4	2.1	3.1
Corriente de funcionamiento	A	3.5	5	2.8	3.5
El consumo de energía	W	7	10	5.6	7
Tensión de funcionamiento	V	2	2	2	2
Eficiencia operativa	%	35	40	40	40
Umbral de corriente	A	0.7	1.2	0.38	0.47
Ángulo de divergencia	°	22	22	20	20
Geométrico
Longitud del emisor	micras	916	1535	525	916
Ancho del emisor	micras	901	1560	615	610
Longitud de la viruta	micras	1206	1845	695	996
Ancho de viruta	micras	1006	1670	795	890
Grosor de la viruta	micras	100	100	100	100

(4) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie SL

Óptico
Longitud de onda central @ Iop	Nuevo Méjico	934	940	946
Ancho espectral (medio ancho)	Nuevo Méjico		2
Cambio de longitud de onda / temperatura	nanómetro/℃		0.07
Apertura del emisor	micras		8
Paso mínimo del emisor	micras		21
Número de emisor (Área A)	-		377
Número de emisor (Área B)	-		6
Potencia de salida (Área A)	W	1.3	1.5	1.7
Potencia de salida (Área B)	W		0.024
Poder de un solo punto	W		0.004
Corriente de funcionamiento (Área A)	A		3.6
Corriente de funcionamiento (Área B)	A		0.06
Consumo de energía (Área A)	W		3.6
Consumo de energía (área B)	W		0.06
Tensión de funcionamiento	V		2
Eficiencia operativa	%		40	45
Umbral de corriente (Área A)	A		0.38
Umbral de corriente (Área B)	A		0.006
Ángulo de divergencia	°		20
Geométrico
Longitud de la zona luminosa	micras		523
Ancho del área de emisión de luz	micras		548
Longitud de la viruta	micras	758	778	798
Ancho de viruta	micras	701	721	741
Grosor de la viruta	micras	90	100	110

(5) Chips VCSEL de diodo de alta potencia - Serie LI

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	905	940
Ancho espectral (medio ancho)	Nuevo Méjico	2	2
Cambio de longitud de onda / temperatura	nanómetro/℃	0.07	0.07
Apertura del emisor	micras	12	12
Paso mínimo del emisor	micras	22	22
Número de emisor	/	136	136
Potencia de salida	W	60	60
Corriente de funcionamiento	A	15	15
El consumo de energía	W	300	300
Tensión de funcionamiento	V	25	25
Eficiencia operativa	%	20	20
Umbral de corriente	A	0.2	0.2
Ángulo de divergencia	°	20	20
Geométrico
Longitud del emisor	micras	273	273
Ancho del emisor	micras	288	288
Longitud de la viruta	micras	520	520
Ancho de viruta	micras	401	401
Grosor de la viruta	micras	100	100

(6) Dispositivo láser de diodo de alta potencia - Serie COS

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	915	915	976	976
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico	±10	±10	±3	±3
Potencia de salida	W	25	30	25	30
Modo operativo	#	CW	CW	CW	CW
Divergencia de eje rápido	Grado	55	55	55	55
Divergencia del eje lento	Grado	9.5	9.5	9.5	9.5
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico	4	4	4	4
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃	0.3	0.3	0.33	0.33
Polarización TE	%	97	97	97	97
Eléctrico
Ef de conversión electroóptica	%	62	62	63	63
Eficiencia de pendiente	WASHINGTON	1.15	1.15	1.1	1.1
Corriente de umbral	A	1.5	1.8	1.1	1.5
Corriente de funcionamiento	A	25	30	25	30
Tensión de funcionamiento	V	1,65	1,65	1.55	1.55
Geométrico
Ancho del emisor	micras	195	230	195	230
Longitud de la cavidad	milímetro	4.5	4.5	4.5	4.5
Ancho	micras	400	400	400	400
Espesor	micras	145	145	145	145

(7) Dispositivos láser de diodo de alta potencia - Serie MCC

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	808	808	808	808	940	940
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico	±10	±10	±10	±10	±3	±3
Potencia de salida	W	50	60	100	≥500	200	200
Divergencia de eje rápido	Grado	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergencia del eje lento	Grado	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5	≤8.5
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico	≤2.5	≤2.5	≤3	≤3.5	≤3	≤3
Modo de polarización	TM/TE					TE	TE
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃	0.28	0.28	0.28	0.28	0.3	0.3
Eléctrico
Ef de conversión electroóptica	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Eficiencia de pendiente	WASHINGTON	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Corriente de umbral	A	8	12	15	25	25	25
Corriente de funcionamiento	A	50	60	105	≤430	220	650
Tensión de funcionamiento	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1.55	1.7
Ancho de pulso	a nosotros	-	-	-	200	-	500
Frecuencia de pulso	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo de trabajo de pulso	%	-	-	-	8	-	8
Geométrico
Número de emisores	#	19	49	49	34	24	34
Ancho del emisor	micras	150	100	100	232	200	232
Paso del emisor	micras	500	200	200	290	400	290
Factor de llenado	%	30	50	50	80	50	80
Longitud de la cavidad	milímetro	1.0	1.0	1.5	1.5	3	2
Espesor de la barra	micras	145	145	145	115	115	115
Longitud de la barra	milímetro	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Térmico
Temperatura de funcionamiento.	℃	25	25	25	25	20	25
Temperatura de almacenamiento.	℃	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80
Tasa de flujo del agua	l/min	/	0.25	0.25	0.20	0.25	0.25

(8) Pilas de láser de diodo de alta potencia - Serie MCP

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	808	808	808
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico	±10	±10	±3
Potencia de salida	W	60	100	300
Número de barras	#	2 ～ 60	2 ～ 60	2 ～ 60
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico	≤8	≤8	4
Modo operativo	#	CW	CW	QCW
Divergencia de eje rápido	Grado	≤42	≤42	40
Divergencia del eje lento	Grado	≤10	≤10	10
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃	0.28	0.28	0.28
Eléctrico
Eficiencia de conversión de energía	%	50	50	50
Eficiencia de pendiente/barra	WASHINGTON	≥1.1	≥1.1	1.1
Umbral de corriente	A	4.5	4.5	4.5
Corriente de funcionamiento	A	0.16	0.16	290
Tensión/barra de funcionamiento	V	≤2	≤2	1.8
Térmico
Temperatura de funcionamiento	℃	15 ～ 35	15 ～ 35	25
Temperatura de almacenamiento	℃	0~55	0~55	0~55
Bar/Velocidad del agua/Bar	l/m	0,3~0,5	0,3~0,5	0.3
Presión máxima de entrada	psi	55	55	55
Tipo de agua	-	Agua DI	Agua DI	Agua DI
Resistividad del agua desionizada (DI)	kΩ·cm	200~500	200~500	200~500
Partículas de filtro de agua pura	micras	＜20	＜20	＜20

(9) Pilas de láser de diodo de alta potencia - Serie QCP

Óptico
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	808	808
Tolerancia de longitud de onda	W	±3	±10
Potencia de salida de barra/barra	%	300	40
Número de barras	%	2 ～ 24	60
Potencia de salida total	micras	-	2400
Espaciado de barra a barra	-	0,4 ～ 1,8	0.9
Ancho espectral (FWHM)	-	4	8
Ancho de pulso	metro	50-500	10-100
Tasa de repetición		1-200	1-10
Divergencia del eje rápido (FWHM)	Nuevo Méjico	40	40
Divergencia del eje lento (FWHM)	mW	10	10
Coeficiente de temperatura de longitud de onda		0.28	0.28
Eléctrico
Ef de conversión electroóptica	%	50	50
Eficiencia de pendiente/barra	WASHINGTON	1.1	1.1
Umbral de corriente	A	20	10
Corriente de funcionamiento	A	300	50
Tensión/barra de funcionamiento	V	2	1.8
Térmico
Tipo de agua	-	Agua pura	Agua pura
Temperatura de funcionamiento	℃	25	25
Temperatura de almacenamiento	℃	-40-85	-40-85

(10) Dispositivos láser de diodo de alta potencia - Serie TO

Óptico
		mínimo	Típico	máx.
Longitud de onda central	Nuevo Méjico	820	830	840
Tolerancia de longitud de onda	Nuevo Méjico		±10
Potencia de salida	W		1.0
Ancho espectral (FWHM)	Nuevo Méjico		3.0	4.0
Coeficiente de temperatura de longitud de onda	nanómetro/℃		0.3
Eléctrico
Ef de conversión electroóptica	%	36	42
Eficiencia de pendiente	WASHINGTON	1.05	1.1
Umbral de corriente	A		0.38	0,45
Corriente de funcionamiento	A		1.28	1.40
Tensión de funcionamiento	V		1.8	2.2
Térmico
Temperatura de funcionamiento	℃	0	25	40
Temperatura de almacenamiento	℃		-20~70